招標公告
1. 招標條件
本招標項目等離子增強氣相沉積系統(tǒng)、硅基等離子體刻蝕機、InP基等離子體刻蝕機、GaAs基等離子體刻蝕機 該項目已具備招標條件，現(xiàn)對等離子增強氣相沉積系統(tǒng)、硅基等離子體刻蝕機、InP基等離子體刻蝕機、GaAs基等離子體刻蝕機進行國內公開招標。2. 項目概況與招標范圍
2.1 招標編號：ZKX20250631A002 2.2招標項目名稱：等離子增強氣相沉積系統(tǒng)、硅基等離子體刻蝕機、InP基等離子體刻蝕機、GaAs基等離子體刻蝕機 2.3 數(shù)量： 等離子增強氣相沉積系統(tǒng) 1臺 硅基等離子體刻蝕機 1臺 InP基等離子體刻蝕機 1臺 GaAs基等離子體刻蝕機 1臺 2.4 設備用途： 1）等離子增強氣相沉積系統(tǒng)：等離子增強氣相沉積系統(tǒng)主要借助微波或射頻源使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成等離子體，利用等離子體的強化學活性發(fā)生反應，從而在基片上沉積出預期的薄膜，具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好等優(yōu)點。本儀器可沉積氧化硅、氮化硅等材料，能夠實現(xiàn)對沉積厚度的精確控制，還可以通過改變反應氣體組分在一定范圍內調節(jié)沉積薄膜的折射率，可應用于微納結構中的抗腐蝕層、微納電子器件中的絕緣層、波導結構等。 2）硅基等離子體刻蝕機：等離子體刻蝕機用于對半導體晶圓進行干法刻蝕微納加工，從而制作出設計好的波導結構圖案。其刻蝕過程是化學反應和物理轟擊過程所共同作用的結果，其內部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線圈相連，使線圈產生感應耦合電場，腔室內的刻蝕氣體在此電場作用下輝光放電產生高密度等離子體；另一套與腔室內放置石英平臺和樣品的下方電極相連，用于產生偏置電壓，對等離子體進行加速使其定向作用于樣片表面，并將發(fā)生化學反應產生揮發(fā)性的氣體，經過排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機對晶圓芯片結構加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優(yōu)點。硅基等離子體刻蝕機將用于硅光芯片研制過程中刻蝕光波導和光柵等結構。 3）InP基等離子體刻蝕機：等離子體刻蝕機用于對半導體晶圓進行干法刻蝕微納加工，從而制作出設計好的波導結構圖案。其刻蝕過程是化學反應和物理轟擊過程所共同作用的結果，其內部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線圈相連，使線圈產生感應耦合電場，腔室內的刻蝕氣體在此電場作用下輝光放電產生高密度等離子體；另一套與腔室內放置石英平臺和樣品的下方電極相連，用于產生偏置電壓，對等離子體進行加速使其定向作用于樣片表面，并將發(fā)生化學反應產生揮發(fā)性的氣體，經過排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機對晶圓芯片結構加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優(yōu)點。InP基等離子體刻蝕機將用于InP基半導體激光器芯片研制過程中刻蝕光波導和光柵等結構。 4）GaAs基等離子體刻蝕機：等離子體刻蝕機用于對半導體晶圓進行干法刻蝕微納加工，從而制作出設計好的波導結構圖案。其刻蝕過程是化學反應和物理轟擊過程所共同作用的結果，其內部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線圈相連，使線圈產生感應耦合電場，腔室內的刻蝕氣體在此電場作用下輝光放電產生高密度等離子體；另一套與腔室內放置石英平臺和樣品的下方電極相連，用于產生偏置電壓，對等離子體進行加速使其定向作用于樣片表面，并將發(fā)生化學反應產生揮發(fā)性的氣體，經過排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機對晶圓芯片結構加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優(yōu)點。GaAs基等離子體刻蝕機將用于GaAs基半導體激光器芯片研制過程中刻蝕光波導和光柵等結構。 2.5 交貨 2.6 交貨期：合同簽訂后10個月內。3.投標人資格要求
3.1 投標人須具有獨立承擔民事責任能力的在中華人民共和國境內注冊的法人或其他組織，具備有效的營業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書或其它營業(yè)登記證書。 3.2 本次招標不接受聯(lián)合體投標。 3.3 本次招標不接受代理商投標。 3.4 投標人2022年1月1日至開標前一日（以合同簽訂時間為準）具有等離子增強氣相沉積系統(tǒng)、等離子體刻蝕機的同類型產品業(yè)績： （1）上述2種產品均須提供同類型產品業(yè)績； （2）每種產品須提供至少15份業(yè)績合同（同一業(yè)績中可同時包含上述兩種產品），業(yè)績均須附供貨合同必要部分（須包含合同首頁及蓋章頁或者簽署頁，合同中須有標的物名稱，且有明確的簽訂時間）。 3.5 信譽要求：未被列入″信用中國” 網站″記錄嚴重失信主體名單，須提供上述網站截圖證明或提供承諾書。 3.6投標人必須向招標代理機構4.
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編輯：365trade
